Влияние нейтронного облучения на спектральные характеристики InxGa1 – xN-светодиодов

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

Представлены результаты исследования влияния нейтронного излучения на спектральные характеристики светодиодов InxGa1 – xN. Определен механизм, ответственный за изменение спектра излучения светодиодов при воздействии нейтронов. Показана связь между радиационной чувствительностью спектральных характеристик активных областей образцов и составом твердого раствора InxGa1 – xN. Проведен аналитический расчет для оценки возможного максимального смещения спектра свечения светодиодов InxGa1 – xN после нейтронного воздействия.

Об авторах

О. В. Ткачев

Российский федеральный ядерный центр – Всероссийский научно-исследовательский институт
технической физики им. академика Е.И. Забабахина

Email: dep5@vniitf.ru
Россия, 456770, Челябинская область, Снежинск

С. М. Дубровских

Российский федеральный ядерный центр – Всероссийский научно-исследовательский институт
технической физики им. академика Е.И. Забабахина

Автор, ответственный за переписку.
Email: dep5@vniitf.ru
Россия, 456770, Челябинская область, Снежинск

К. Д. Кокшарова

Российский федеральный ядерный центр – Всероссийский научно-исследовательский институт
технической физики им. академика Е.И. Забабахина

Email: dep5@vniitf.ru
Россия, 456770, Челябинская область, Снежинск

А. В. Федорец

Российский федеральный ядерный центр – Всероссийский научно-исследовательский институт
технической физики им. академика Е.И. Забабахина

Email: dep5@vniitf.ru
Россия, 456770, Челябинская область, Снежинск

Список литературы

  1. Compton D.M.J., Cesena R.A. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1967. V. 14. № 6. P. 55. https://doi.org/10.1109/TNS.1967.4324775
  2. Polimadei R.A., Share S., Epstein A.S., Lynch R.J., Sullivan D. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1974. V. 21. P. 96. https://doi.org/10.1109/TNS.1974.6498911
  3. Hava S., Lam R. // J. Appl. Phys. 1986. V. 59. № 6. P. 2229. https://doi.org/10.1063/1.336364
  4. Comparo J.C., Delcamp S.B., Frueholz R.P. // J. Appl. Phys. 1992. V. 71. № 11. P. 5323. https://doi.org/10.1063/1.350548
  5. Hava. S. // J. Appl. Phys. 2002. V. 91. № 1. P. 8. https://doi.org/10.1063/1.1419266
  6. Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Малышева Е.И., Труфанов А.Н. // Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. Вып. 3. С. 370.
  7. Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л., Нежданов А.В., Парафин А.Е., Хомицкий Д.В., Антонов И.Н. // Физика и техника полупроводников. 2020. Т. 54. Вып. 12. С. 1336. https://doi.org/10.21883/FTP.2020.12.50234.9484
  8. Шукайло В.П., Ткачев О.В., Дубровских С.М., Басаргина Н.В., Ворожцова И.В. // ВАНТ. Сер. Физика радиационного воздействия на РЭА. 2012. Вып. 4. С. 41.
  9. Оболенский С.В., Шукайло В.П., Ткачев О.В., Дубровских С.М., Басаргина Н.В., Ворожцова И.В. // Вестн. ННГУ. 2012. № 6(1). С. 51.
  10. Шуберт Ф. Светодиоды / Ред. Юнович А.Э. М.: Физматлит, 2008. 495 с.
  11. Brudnyi V.N., Boiko V.M., Kolin N.G., Kosobutsky A.V., Korulin A.V., Brudnyi P.A., Ermakov V.S. // Semiconductor Sci. Technol. 2018. V. 33. № 9. P. 095011. https://doi.org/10.1088/1361-6641/aad53b
  12. Johnston A.N. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2003. V. 50. № 3. P. 689. https://doi.org/10.1109/TNS.2003.812926
  13. Рыжиков В.И. Контроль радиационной стойкости мощных светодиодов на основе широкозонных полупроводников: Дис. … канд. тех. наук: 05.11.13. М.: МИРЭА, 2004. 100 с.
  14. Сошников И.П., Лундин В.В., Усиков А.С., Калмыкова И.П., Леденцов Н.Н., Rosenauer A., Neubauer B., Gerthsen D. // Физика и техника полупроводников. 2000. Т. 34. Вып. 6. С. 647.
  15. Gerthsen D., Hahn E., Neubauer B., Potin V., Rosenauer A., Schowalter M. // Phys. Stat. Sol. C. 2003. V. 0. № 6. P. 1668. https://doi.org/10.1002/pssc.200303129
  16. Кудряшов В.Е., Мамакин С.С., Туркин А.Н., Юнович А.Э., Ковалев А.Н., Маняхин Ф.И. // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35. Вып. 7. С. 861.
  17. Ершов Е.В., Иванов А.Ф., Найдин А.А., Рогачков О.А., Пермяков В.О., Фомина Е.В. // Ядерная физика и инжиниринг. 2013. Т. 4. № 1. Р. 17. https://doi.org/10.1134/S207956291301003X
  18. Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Усов С.О., Николаев А.Е., Синицын М.А., Черкашин Н.А., Карпов С.Ю. // Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. Вып. 11. С. 1563. https://doi.org/10.1134/S1063782615110238
  19. Бочкарева Н.И., Шретер Ю.Г. // Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 52. Вып. 7. С. 796. https://doi.org/10.21883/FTP.2018.07.46055.8790
  20. Зиновьев Р.А. Исследование дефектов в GaN светодиодах: Дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.10. М.: МИСиС, 2020. 147 с.

Дополнительные файлы


© О.В. Ткачев, С.М. Дубровских, К.Д. Кокшарова, А.В. Федорец, 2023