NANOTRANSISTORS
| Edição | Título | Arquivo | |
| Volume 54, Nº 2 (2025) | Effect of boundary roughness on the variability of the I-V data of silicon field-effect GAA nanotransistors |
 (Rus) |
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| Masalsky N. | |||
| 1 - 1 de 1 resultados | |||
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Palavras-chave
Förster effect
bipolar transistor
diagnostics
etching
gas temperature
ionization
kinetics
magnetron sputtering
mechanism
memristor
modeling
molecular beam epitaxy
plasma
polymerization
powerful LDMOS
quantum dot
reduced electric field strength
resistive switching
silicon
silicon-on-insulator technology
specific power
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Volume 54, Nº 4 (2025)
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