Ферромагнетизм при комнатной температуре кристаллического полупроводникового соединения Hg1 – xFexSe с предельно низким содержанием примесных атомов железа (x ≤ 0.06 ат. %)

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

На монокристаллах Hg1 – xFexSe (х ≤ 0.06 ат. %) с предельно низкой концентрацией примесных атомов железа при комнатной температуре (Т = 300 К) экспериментально обнаружен высокотемпературный ферромагнетизм нового типа в системе примесных донорных электронов.

Об авторах

Т. Е. Говоркова

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
“Институт физики металлов имени М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук”

Автор, ответственный за переписку.
Email: govorkova@imp.uran.ru
Россия, Екатеринбург

В. И. Окулов

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
“Институт физики металлов имени М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук”

Email: govorkova@imp.uran.ru
Россия, Екатеринбург

Е. А. Памятных

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования
“Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина”

Email: govorkova@imp.uran.ru
Россия, Екатеринбург

В. С. Гавико

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
“Институт физики металлов имени М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук”

Email: govorkova@imp.uran.ru
Россия, Екатеринбург

В. Т. Суриков

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
“Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук”

Email: govorkova@imp.uran.ru
Россия, Екатеринбург

Список литературы

  1. Dietl T., Ohno H. // Rev. Mod. Phys. 2014. V. 86. P. 187.
  2. Wang H., Sun S., Lu J. et al. // Adv. Funct. Mater. 2020. V. 30. Art. No. 2002513.
  3. Xue J., Yan H., Lui W. et al. // J. Supercond. Nov. Magn. 2021. V. 34. P. 7.
  4. Yu. S., Zhao G., Peng Y. et al. // Crystals. 2020. V. 10. P. 690.
  5. Kabir F., Murtaza A., Saeed A. et al. // J. Mater. Sci. Mater. Electron. 2021. V. 32. P. 10734.
  6. Окулов В.И., Сабирзянова Л.Д., Курмаев Э.З. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2005. Т. 81. С. 80; Okulov V.I., Sabirzyanova L.D., Kurmaev E.Z. et al. // JETP Lett. 2005. V. 81. P. 72.
  7. Окулов В.И., Памятных Е.А., Силин В.П. // ФНТ. 2011. Т. 37. С. 1001; Okulov V.I., Pamyatnykh E.A., Silin V.P. // Low Temp. Phys. 2011. V. 37. P. 798.
  8. Лончаков А.Т., Окулов В.И., Говоркова Т.Е. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2012. Т. 96. № 6. С. 444; Lonchakov A.T., Okulov V.I., Govorkova T.E. et al. // JETP Lett. 2012. V. 96. No. 6. P. 405.
  9. Окулов В.И., Говоркова Т.Е., Жевстовских И.В. и др. // ФНТ. 2013. Т.39. № 4. С. 493; Okulov V.I., Govorkova T.E., Zhevstovskikh et al. // Low Temp. Phys. 2013. V. 39. No. 4. P. 384.
  10. Говоркова Т.Е., Лончаков А.Т., Окулов В.И. и др. // ФНТ. 2015. Т. 41. С. 202; Govorkova T.E., Lonchakov A.T., Okulov V.I. et al. // Low Temp. Phys. 2015. V. 41. No. 2. P. 154.
  11. Говоркова Т.Е., Окулов В.И. // ФНТ. 2018. Т. 44. С. 1562; Govorkova T.E., Okulov V.I. // Low Temp. Phys. 2018. V. 44. No. 11. P. 1221.
  12. Говоркова Т.Е., Окулов В.И., Окулова К.А. // ФНТ. 2019. Т. 45. С. 270; Govorkova T.E., Okulov V.I., Okulova K.A. // Low Temp. Phys. 2019. V. 45. P. 234.
  13. Говоркова Т.Е., Окулов В.И. // ФТТ. 2022. Т. 64. С. 60; Govorkova T.E., Okulov V.I. // Phys. Solid State. 2022. V. 64. No. 1. P. 58.
  14. Цидильковский И.М. // ФТП. 1990. Т. 24. С. 593.
  15. Furdyna J.K., Kossut J. Diluted magnetic semiconductors. N.Y.: Academic Press, 1988.
  16. Singh S., Singh P. // J. Phys. Chem. Solids. 1980. V. 41. P. 135.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
2.

Скачать (52KB)
3.

Скачать (63KB)
4.

Скачать (34KB)

© Т.Е. Говоркова, В.И. Окулов, Е.А. Памятных, В.С. Гавико, В.Т. Суриков, 2023