Получение сегнетоэлектрических пленок оксида гафния методом магнетронного распыления
- Авторы: Лузанов В.А.1
-
Учреждения:
- Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
- Выпуск: Том 69, № 10 (2024)
- Страницы: 1000-1003
- Раздел: НАНОЭЛЕКТРОНИКА
- URL: https://cardiosomatics.orscience.ru/0033-8494/article/view/684753
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0033849424100106
- EDN: https://elibrary.ru/HPSBDR
- ID: 684753
Цитировать
Полный текст



Аннотация
Методом магнетронного распыления получены пленки оксида гафния, содержащие нецентросимметричную орторомбическую фазу, способную к спонтанной поляризации. Показано, что наличие бомбардировки отрицательными ионами кислорода способствует формированию орторомбической фазы.
Ключевые слова
Полный текст

Об авторах
В. А. Лузанов
Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
Автор, ответственный за переписку.
Email: valery@luzanov.ru
Россия, пл. Введенского, 1, Фрязино, Московская обл., 141190
Список литературы
- Schenk T., Pešić1 M., Slesazeck S. et.al. // Reports on Progress in Physics. 2020. V. 83. № 8. P. 086501.
- Kim Min-Kyu, Kim Ik-Jyae, Lee Jang-Sik // Sci. Adv. 2021. V. 7. № 3. P. 1.
- Mikolajick T., Schroeder U., Slesazeck S. // IEEE Trans. 2020. V. ED-67. № 4. P. 1434.
- Park J. Y., Yang K., Lee D. H. et al. // J. Appl. Phys. 2020. V. 128. № 24. P. 240904.
- Mikolajick T., Slesazeck S., Park M. H., Schroeder U. // MRS Bull. 2018. V. 43. № 5. P. 340.
- Перевалов Т. В., Гриценко В. А., Гутаковский А. К., Просвирин И. П. // Письма в ЖЭТФ. 2019. Т. 109. № 2. С. 112.
- Горшков Д.В., Закиров, Е.Р., Сидоров Г.Ю. и др. // Изв. вузов. Физика. 2023. Т. 66. № 6. С. 111.
- Соколов А.А., Овчинников А.А., Лысенков К.М. и др. // ЖТФ. 2010. Т. 80. № 7. С. 131.
- Лузанов В.А. Магнетронное распылительное устройство. Патент РФ на изобретение № 2761900. Опубл. офиц. бюл. «Изобретения. Полезные модели». № 35 от 13.12. 2021.
- Лузанов В.А., Алексеев С.Г., Ползикова Н.И. // РЭ. 2018. Т. 63. № 9. С. 1015.
Дополнительные файлы
Доп. файлы
Действие
1.
JATS XML
2.
Рис. 1. Рентгеновская дифрактограмма пленки HfO2, осажденной при использовании стандартного планарного магнетрона.
Скачать (88KB)
3.
Рис. 2. Рентгеновская дифрактограмма пленки HfO2, осажденной при использовании оригинального магнетронного распылительного устройства: стрелками отмечены моноклинные фазы (m) и орторомбическая (o).
Скачать (111KB)
