Динамика обратимого фазового перехода “полупроводник–металл” в тонких пленках SmS при механических и термических воздействиях

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

Представлены результаты комплексного исследования динамики фазовых переходов в тонких пленках SmS: механически индуцированного полировкой перехода полупроводниковой фазы в металлическую и термически индуцированного обратного перехода из металлической в полупроводниковую фазу. Обнаружено, что обратный фазовый переход происходит при охлаждении образца в интервале температур 408–373 К. Изменение фазового и элементного состава тонких пленок наблюдается при описываемых фазовых превращениях приповерхностного слоя. Исходя из полученных данных можно рассматривать тонкие пленки SmS как структуры с предсказуемой и требуемой динамикой обратимых фазовых превращений, что в дальнейшем может быть использовано для создания функциональных материалов и элементов датчиков давления широкого спектра.

Об авторах

И. С. Волчков

Отделение “Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова” Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”

Email: volch2862@gmail.com
Москва, Россия

Е. Б. Баскаков

Отделение “Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова” Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”

Москва, Россия

Д. Р. Хайретдинова

Отделение “Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова” Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”

Москва, Россия

В. М. Каневский

Отделение “Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова” Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”

Москва, Россия

Список литературы

  1. Каминский В.В., Соловьев С.М. // ФТТ. 2001. Т. 43. № 3. С. 423.
  2. Barla A., Sanchez J.P., Haga Y. et al. // Phys. Rev. Lett. 2004. V. 92. № 6. P. 066401. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.92.066401
  3. Banerjee D., Plekhanov E., Rungger I. et al. // Phys. Rev. B. 2022. V. 105. № 19. P. 195135. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.105.195135
  4. Sousanis A., Smet P., Poelman D. // Materials. 2017. V. 10. № 8. P. 953. https://doi.org/10.3390/ma10080953
  5. Kaldis E., Wachter P. // Solid State Commun. 1972. V. 11. № 7. P. 907. https://doi.org/10.1016/0038-1098(72)91005-8
  6. Rogers E., Smet P.F., Dorenbos P. et al. // J. Phys. Condens. Mater. 2010. V. 22. № 1. P. 015005. https://doi.org/10.1088/0953-8984/22/1/015005
  7. Sousanis A., Poelman D., Detavernier C. et al. // Sensors. 2019. V. 19. № 20. P. 4390. 10.3390/s19204390' target='_blank'>https://doi: 10.3390/s19204390
  8. Imura K., Matsubayashi K., Suzuki H.S. et al. // J. Phys. Soc. Jpn. 2009. V. 78. № 1. P. 104602. https://doi.org/10.1143/JPSJ.78.104602
  9. Jarrige I., Yamaoka H., Rueff J.P. et al. // Phys. Rev. B. 2013. V. 87. № 11. P. 115107. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.115107
  10. Kirk J.L., Vedam K., Narayanamurti V. et al. // Phys. Rev. B. 1972. V. 6. № 8. P. 3023. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.6.3023
  11. Виноградов А.А., Каминский В.В., Смирнов И.А. // ФТТ. 1985. Т. 27. № 4. С. 1121.
  12. Стрелов В.И., Баскаков Е.Б., Бендрышев Ю.Н. и др. // Кристаллография. 2019. Т. 64. № 2. С. 281. https://doi.org/10.1134/S0023476119020292
  13. Каминский В.В., Молодых А.А., Степанов Н.Н. и др. // Научное приборостроение. 2011. Т. 21. № 2. С. 53.
  14. Bronovets M.A., Volodin N.M., Mishin Y.N. // Mater. Lett. 2020. V. 267. P. 127467. https://doi.org/10.1016/j.matlet.2020.127467
  15. Takenaka K., Asai D., Kaizu R. et al. // Sci. Rep. 2019. V. 9. № 1. P. 122. https://doi.org/10.1038/s41598-018-36568-w
  16. Yokoyama Y., Hasegawa H., Mizuno Y. et al. // Phys. Rev. B. 2019. V. 100. № 24. P. 245143. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.100.245143
  17. Zhu K., Ding W., Sun W. et al. // J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 2016. V. 27. P. 2379. https://doi.org/10.1007/s10854-015-4035-7
  18. Sun W., Zhu K., Xu H. et al. // J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 2017. V. 28. P. 697. https://doi.org/10.1007/s10854-016-5578-y
  19. Andreev O.V., Ivanov V.V., Gorshkov A.V. et al. // Eurasian Chem.-Technol. J. 2016. V. 18. № 1. P. 55. https://doi.org/10.18321/ectj396
  20. Каминский В.В., Молодых А.А., Полухин И.С. и др. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. № 11. С. 1.
  21. Каминский В.В., Сидоров В.А., Степанов Н.Н. и др. // ФТТ. 2013. Т. 55. № 2. С. 257.
  22. Пронин И.А., Якушова Н.Д., Димитров Д.Ц. и др. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. № 18. С. 11. https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.18.45028.16754
  23. Каминский В.В., Соловьев С.М., Шаренкова Н.В. // Письма в ЖТФ. 2018. Т. 44. № 23. С. 85. https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.23.47014.17235
  24. Volchkov I., Baskakov E., Strelov V. et al. // J. Rare Earth. 2022. V. 40. № 11. P. 1778. https://doi.org/10.1016/j.jre.2022.01.008
  25. Каминский В.В., Дидик В.А., Казанин М.М. и др. // Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. № 21. С. 16.
  26. Калинин Ю.Е., Чуйко А.Г., Новиков Е.Г. // Альтернативная энергетика и экология. 2015. Т. 3. № 167. С. 28.
  27. Щенников В.В., Степанов Н.Н., Смирнов И.А. и др. // ФТТ. 1988. Т. 30. № 10. С. 3105.
  28. Imura K., Ikeo Y., Sakamoto K. et al. // New Phys.: Sae Mulli. 2023. V. 73. P. 1094. https://doi.org/10.3938/NPSM.73.1094
  29. Deen P.P., Braithwaite D., Kernavanois N. et al. // Phys. Rev. B. 2005. V. 71. № 24. P. 245118. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.71.245118
  30. Watanabe S. // J. Phys. Soc. Jpn. 2021. V. 90. № 2. P. 023706. https://doi.org/10.7566/JPSJ.90.023706
  31. Глушков В.В., Журкин В.С., Божко А.Д. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2021. Т. 116. № 11. С. 770. https://doi.org/10.31857/S1234567822230057
  32. Баскаков Е.Б., Стрелов В.И. // Кристаллография. 2021.Т. 66. № 6. С. 925. https://doi.org/10.31857/S0023476121060059
  33. Волчков И.С., Баскаков Е.Б., Стрелов В.И. и др. // ЖТФ. 2019. Т. 45. № 22. С. 12. https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.22.48641.17859

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2025